A）用CVD-SiC薄膜涂覆的石墨晶舟
      石墨容易加工，可从一个块材经过各种精密加工成为一体单件式晶舟。由于石墨是多孔性物质，必须于其表面涂覆一层厚度约100um 的CVD-SiC薄膜，

      方可避免石墨表面直接曝露于各种半导体制程造成细微粒(particle)的问题。但是在CVD-SiC涂层之后，晶舟表面的所有区域的SiC薄膜的厚度是不容易

      控制。由于石墨体和SiC薄膜之间的CTE（热膨胀系数）不匹配，SiC薄膜通常在几次升降温使用后容易剥落。再者，由于自动化运输过程中的碰撞，SiC

      薄膜也容易破裂。一旦SiC薄膜剥落，石墨将暴露于环境中，腐蚀性气体或液体进入多孔性的石墨体后，不易清除干净，从而导致高温制程中有细微粒

      (particle)产生之意外结果发生。这种涂有CVD-SiC薄膜的石墨舟最便宜，寿命最短，约1年。

 

B）用CVD-SiC薄膜涂覆的重结晶SiC晶舟
      重结晶SiC晶舟通常是将几个单元部件先预先形成、烧结，然后分别加工，之后将各个单元部件在高温下以Si膏接合，接合成一晶舟之后再CVD涂覆SiC

      薄膜。由于重结晶SiC是多孔的，因此可以在高温下利用Si膏接合（胶合）。如果没有CVD涂覆SiC薄膜，则多孔重结晶SiC会在各种半导体制程中引起细

      微粒(particle)问题。因此，涂覆有CVD-SiC薄膜的重结晶SiC的成本非常昂贵。此外，接合区域的Si膏无法承受与SiC材料一样高的温度。此外，一旦晶

      舟发生碰撞造成涂覆的SiC薄膜剥离，多孔的重结晶SiC将在各种半导体制程中引起细微粒(particle)问题。这种涂有CVD-SiC薄膜的重结晶SiC晶舟制

      造流程最长（将几个单元部件先进行预成型，烧结和机械加工，在高温下用Si膏连接所有单元部件，然后用CVD-SiC涂层）并且成本最高。比起石墨披覆

      CVD-SiC薄膜的晶舟，重结晶SiC与CVD-SiC薄膜无CTE不匹配的问题。但是厚度约100um 的CVD-SiC薄膜，因酸洗与碰撞造成涂覆的SiC薄膜剥离，

      其使用寿命时间亦不可能很长，约为2〜3年。

 

C）没有CVD涂层的一体单件式SiC晶舟
      若无CVD涂层的晶舟，其先决条件是表面必须是致密性材料。致密性的SiC材料有两种材质，无压烧结SiC(SSiC）和反应烧结SiC（RBSC，也称矽渗透

      SiC，SiSiC）。无论是无压烧结SiC（SSiC）和反应烧结SiC（RBSC）材料，都无法      像石英材料熔接各单元部件使成一体。然而，要将SiC从粉末

      成形并烧结成一体单件式晶舟的近净形状并不容易，再者，SiC非常坚硬且不易加工，这会导致一体单件式SiC晶舟加工成本极高。尽管RBSC比SSiC稍

      微容易形成近净形状，但RBSC仍然非常坚硬并且不易加工，这也导致极高的成本。另一方面，RBSC含有10~15％的游离Si，无法承受与SSiC材料一

      样高的温度。并且，游离的Si很容易被HF酸蚀刻，从而导致细微粒 (particle)问题。

 

D）Kallex SiC 组合式晶舟（不含CVD涂层）
      我们的SiC晶舟的材料是无压烧结SiC（SSiC），纯度为99.675％。我们将各单元部件先成形、烧结和研磨加工，然后利用SSiC螺丝和螺栓将它们组合在

      一起并以SSiC插销固定。我们计算总负载的重量并将其考虑在内，其装载能力将远高于您的需求。我们的SiC晶舟的强度是不会成为问题的。
      此外，无压烧结SSiC没有CVD薄膜剥落导致颗粒的问题，并且在严苛环境中，例如高温，腐蚀性和HF酸，可承受长期挑战。我们保证我们的SiC组合式

      晶舟的使用寿命超过5年。因此，比起各种SiC晶舟，我们相信我们的SiC组合式晶舟是中最具成本效益的。