> 
工商時報【黃台中】
國家中山科學研究院和台灣經濟研究院共同舉辦的「2017高功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）與應用元件國際論壇」，昨（19）日在台北市羅斯福路台大集思會議中心盛大舉行。本次論壇邀請來自德州大學奧斯汀分校、長庚大學、美國GaN Systems、台達電子、穩懋半導體等世界知名功率半導體產學機構之學者專家與會，發表專題技術演講，同國內上百家相關半導體業者、專家進行交流與分享。
現場亦有原晶半導體、艾德康科技、凱勒斯科技、盛博半導體、越峰電子材料、雷泰光電、思發科技、均豪精密、凱樂士科技等業者及專家就現場展示之海報進行相關技術說明。
中科院與台經院研究團隊表示，由於次世代電力電子製造技術為全球製造業創新研究發展重點之一，矽基元件是過去幾十年來世界經濟發展的重要推手，矽（Si）已接近其理論上的性能極限，寬能隙（Wide Bandgap; WBG）半導體材料與電力電子元件日趨重要，將成為次世代功率產品及應用最重要的技術平台。
此外，隨著5G技術逐漸普及，加上物聯網、互聯網、電動車等新興科技同步崛起，無線基地台建置的需求勢必增加，在高頻元件部分需求也將日益上升。
為共同研發、資源整合與國際合作，推動我國高功率半導體產業進入國際供應鏈，中科院與台經院於2015年起成立高功率應用元件研發聯盟，目前成員有數十家國內重要電子廠商，期望透過本次國際論壇，促進國內相關產業進行技術與經驗的交流，加速上下游廠商結盟合作，加速我國半導體產業立足台灣，放眼國際。
此份文件參考(報導來源:中時電子報)
https://tw.news.yahoo.com/%E5%9C%8B%E9%9A%9B%E9%AB%98%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94-%E7%94%A2%E5%AD%B8%E4%BA%A4%E6%B5%81-215010836--finance.html